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XN0438100L中文资料

XN0438100L图片

XN0438100L外观图

  • 大小：130KB
  • 厂家：
  • 描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 150MHz, 200MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1
  • 数据列表：XN0438100L View all Specifications
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA，500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：47k，4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：4.7k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 5mA，10V / 50 @ 100mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA / 250mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA，1µA
  • 频率 - 转换：150MHz，200MHz
  • 功率 - 最大：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-23-6
  • 供应商设备封装：MINI6-G1
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：XN0438100LTRXN4381-(TX)XN4381-TXXN4381TRXN4381TR-ND

XN0438100L供应商

更新时间:2022-12-31 06:06:55
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